- Услуги
- Цена и срок
- О компании
- Контакты
- Способы оплаты
- Гарантии
- Отзывы
- Вакансии
- Блог
- Справочник
- Заказать консультацию
Технические средства, позволяющие ограничить интенсивность ЭМП в диапазоне от единиц герц до гигагерц, основаны на очень простых принципах. В области низких частот (или при условии, что размеры устройства или защищаемой зоны существенно меньше длины волны) — это принцип индуцирования электрического заряда или тока; в области повышенных частот — свойство затухания электромагнитного поля в проводящей среде. Рассмотрим эти принципы подробнее.
Применительно к задаче снижения напряженности электрического поля низкой (например, промышленной) частоты используется принцип электростатического экранирования. Он заключается в следующем. Над землей подвешивается (закрепляется) некая система проводников, которые электрически соединяются с землей (заземляются). При наличии внешнего электрического поля на проводниках наводится (индуцируется) электрический заряд, знак которого обеспечивает уменьшение напряженности поля под проводниками. Как правило, такие системы, или экраны, выполняются в виде ряда параллельных земле проволок, или так называемых козырьков. Степень экранирования зависит от размеров
экрана, точнее, от отношения ширины экрана к его высоте. Приведем некоторые характерные цифры. Пусть, например, экран выполнен из семи проволок, расстояние между которыми равно 0,5 м, а высота подвеса равна 3 м. На высоте 0,5 м напряженность поля составит в середине сетки 0,31 %, а на краю — 0,42 % напряженности внешнего поля. При уменьшении расстояния между проволоками степень экранирования увеличивается. Примерно такая же степень экранирования, как в предыдущем примере, может быть достигнута, если использовать экран в виде диска радиусом 1,5 м, расположенного на высоте 3 м. Хорошо известный термин «клетка Фарадея» означает замкнутую проводящую оболочку. Напряженность поля в ней (при условии, что внутри оболочки нет электрических зарядов) равна нулю. Практическим примером использования такого экрана является защитный костюм, используемый при работах в электрических полях с напряженностью больше 25 кВ/м. Костюм выполняется из ткани, в которую вплетены тонкие проволоки. Таким образом образуется частая сетка, создающая высокую степень экранирования электрического поля. Современные костюмы обеспечивают снижение напряженности внешнего поля более чем в 100 раз.
Принцип электромагнитной индукции, согласно которому в замкнутом контуре наводится ток (индуцируется), может использоваться для уменьшения напряженности магнитного поля в ограниченной области. Направление индуцированного тока таково, что напряженность магнитного поля в части пространства снижается. Такие экраны носят название «пассивные». С их помощью возможно уменьшение напряженности в 2 —3 раза. Наряду с пассивными используются и активные экраны, ток в которых создается специальным источником. В частности, такие экраны используются в курортологии для компенсации .магнитных полей во время магнитных бурь.
При экранировании ЭМП используется также известный принцип скин-эффекта. Плоская электромагнитная волна, падающая на поверхность проводника, затухает в нем по экспоненциальному закону. Глубина скин-слоя 6, или расстояние, на котором интенсивность поля уменьшится в е раз (е = 2,72 — основание натуральных логарифмов), определяется выражением
где w — круговая частота; б — проводимость материала; ц — магнитная проницаемость материала.
Следовательно, глубина скин-слоя уменьшается с ростом частоты, проводимости и магнитной проницаемости материала. Если волна пройдет в материале расстояние, равное 4ст, то ее амплитуда уменьшится примерно в 50 раз. Металлические экраны, расположенные вокруг экранируемых объемов, позволяют уменьшить напряженность ЭМП до необходимого уровня.
На низких частотах обычно применяются экраны из материалов с большой магнитной проницаемостью (пермаллой, электротехническая сталь). В области высоких частот эффективны экраны из меди.
Кроме специальных средств, снижающих интенсивность поля в определенном объеме, возможно использование таких простых средств, как удаление от источника поля. Еще одним таким же простым средством является уменьшение времени нахождения в ЭМП.