Оксидная память
В последнее время ведется разработка нового типа памяти − устройства высокоемкой резистивной памяти (Resistive Random Access Memory, RRAM) – на основе оксида кремния.
Принцип реализации резистивной памяти состоит в том, что в диэлектрике, при достаточно высокой разности приложенных электрических потенциалов, образуются устойчивые каналы проводимости, которые можно разрушать и создавать тысячи раз.
Наличие и отсутствие таких пробоев в диэлектрике можно интерпретировать как «1» и «0» цифровых данных.
Производители считают, что возможен выпуск чипов RRAM размером с почтовую марку и емкостью 1 ТБ данных.
Статьи по теме
Полезные статьи
Узнайте цену услуг:
Узнай цену консультации
"Да забей ты на эти
дипломы и экзамены!”
(дворник Кузьмич)
