В последнее время ведется разработка нового типа памяти − устройства высокоемкой резистивной памяти (Resistive Random Access Memory, RRAM) – на основе оксида кремния.
Наличие и отсутствие таких пробоев в диэлектрике можно интерпретировать как «1» и «0» цифровых данных.
Производители считают, что возможен выпуск чипов RRAM размером с почтовую марку и емкостью 1 ТБ данных.
